ikbguИзвестия Кабардино-Балкарского государственного университетаProceedings of the Kabardino-Balkarian State University2221-7789Kabardino-Balkarian State University named after Kh. M. Berbekov10.31143/2221-7789-2024-3-11-14NEAYUVikbgu-113Research ArticleФизикаPhysicsПРОЦЕССЫ ПАМЯТИ И ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ В ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ ДВУХ- И ТРЕХКОМПОНЕНТНЫХ ХАЛЬКОГЕНИДОВMEMORY AND SWITCHING PROCESSES IN THIN-FILM STRUCTURES BASED ON TWO- AND THREE-COMPONENT CHALCOGENIDESТроянЕ ФTroyanE Ftroevfe@gmail.comСтепановА АSmirnovA Gtroevfe@gmail.comЖовнерикН ВStepanovA Atroevfe@gmail.comСунХиао ВейZhovnerikN Vtroevfe@gmail.comЖенгбиаоЛиуSunHiao Weitroevfe@gmail.comБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Республика БеларусьBelarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Republic of BelarusЮжный университет науки и технологии, Шеньчжень, Китай.Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Republic of BelarusЮжный университет науки и технологии, Шеньчжень, КитайRussian Federation2024300920241431114Copyright © Троян Е.Ф., Степанов А.А., Жовнерик Н.В., Сун Х.В., Женгбиао Л.W., 20242024Троян Е.Ф., Степанов А.А., Жовнерик Н.В., Сун Х.В., Женгбиао Л.Troyan E.F., Smirnov A.G., Stepanov A.A., Zhovnerik N.V., Sun H.W.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://www.izvestiakbsu.ru/jour/article/view/113

В предлагаемой статье представлена теоретическая модель для анализа процессов памяти и переключения в тонкопленочных структурах на основе двух- и трехкомпонентных халькогенидов, представлены результаты экспериментального исследования влияния введения модифицирующего элемента, изоморфного с одним из основных компонентов халькогенидного полупроводника, с целью при местного замещения и изменения электрофизических свойств исследуемых материалов. Анализируется возможность создания тонкопленочных энергонезависимых элементов памяти на их основе.

The proposed article presents a theoretical model for the analysis of memory and switching processes in thin-film structures based on two- and three-component chalcogenides, presents the results of an experimental study of the effect of introducing a modifying element isomorphic with one of the main components of a chalcogenide semiconductor in order to impurity substitution and change the electrophysical properties of the materials under study. The possibility of creating thin-film non-volatile memory elements based on them is ana- lyzed.

тонкопленочные структурытеллурхалькогенидные соединенияРСМпро- цессы переключения и памяти.thin-film structurestelluriumchalcogenide compoundsPCMSswitching and memory processes.ReferencesКолосницын Б.С., Троян Е.Ф. Эффекты памяти и переключения в тонкопленочных неупорядоченных халькогенидных полупроводниках // Доклады БГУИР. 2017. № 2 (104). С. 25–30.Колосницын Б.С., Троян Е.Ф. Эффекты памяти и переключения в тонкопленочных неупорядоченных халькогенидных полупроводниках // Доклады БГУИР. 2017. № 2 (104). С. 25–30.Квятковский О.Е., Максимов Е.Г. Микроскопическая теория динамики решетки. Природа сегнетоэлектрической неустойчивости в кристаллах // УФН. 1998. Т. 154. Вып. 1. С. 3–48.Квятковский О.Е., Максимов Е.Г. Микроскопическая теория динамики решетки. Природа сегнетоэлектрической неустойчивости в кристаллах // УФН. 1998. Т. 154. Вып. 1. С. 3–48.Saif Siddique et al. Emerging two-dimensional tellurides, 2021. Elsevier Ltd. 247 p.Saif Siddique et al. Emerging two-dimensional tellurides, 2021. Elsevier Ltd. 247 p.Pumlianmunga D., Ramesh K. Electrical switching in Sb doped AlTe glasses // Journal of Physical and Chemistry of Solids. 2017. V. 2. P. 17–21.Pumlianmunga D., Ramesh K. Electrical switching in Sb doped AlTe glasses // Journal of Physical and Chemistry of Solids. 2017. V. 2. P. 17–21.Asokan S. Electrical Switching and Other Properties of Chalcogenide Glasses // Journal of the Indian Institute of Science. 2011. V. 91. N 2. P. 11–14.Asokan S. Electrical Switching and Other Properties of Chalcogenide Glasses // Journal of the Indian Institute of Science. 2011. V. 91. N 2. P. 11–14.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.