В работе исследованы эффекты в полевых МДП-транзисторах, связанные с захватом зарядов ловушками, расположенными как в слое подзатворного окисла, так и на границе раздела Si/SiO2. Показано, что появление положительного заряда, вызывается захватом дырок ловушками, расположенными вблизи границы валентной зоны анода, а при больших стрессовых дозах преобладающую роль начинает играть захват электронов. В случае отрицательных напряжений на затворе положительный заряд в окисле расположен вблизи границы раздела Si/SiO2 (~1 нм), то есть в пределах туннелирования электронов. Ток через тонкий окисел, возникающий вследствие эффекта Фаулера– Нордхейма, приводит к накоплению зарядов в слое окисла, а также к образованию ловушек на границе раздела Si/SiO2.
The paper investigates the effects in field-effect MRI transistors associated with the capture of charges by traps located both in the subcutaneous oxide layer and at the Si/SiO2 interface. It is shown that the appearance of a positive charge is caused by the capture of holes by traps located near the boundary of the valence band of the anode, and at high stress doses, electron capture begins to play a predominant role. In the case of nega- tive gate voltages, the positive charge in the oxide is located near the Si/SiO2 interface (~1 nm), that is, within the limits of electron tunneling. The current through a thin oxide, resulting from the Fowler-Nordheim effect, leads to the accumulation of charges in the oxide layer, as well as to the formation of traps at the Si/SiO2 interface.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.