Проведена оценка влияния медленного движения дырок на деградацию n-канальных МДП ПТ с n+-поликремниевым затвором. Исследовано влияние высвобождения захваченных электронов на динамическую деградацию р-канальных МДП ПТ после инжекции горячих носителей в канал. Показано, что на процесс восстановления характеристик влияет поле в оксиде, причем зависимость от времени носит ярко выраженный неэкспоненциальный характер. Показано, что инжекция электронов при высоком напряжении на затворе в процессе чередующихся статических воздействий вызывает рекомбинацию захваченных дырок, а учет эффектов освобождения захваченного заряда позволяет решить проблемы релаксации процессов деградации.
The effect of slow hole motion on the deterioration of an n-channel MDP PT with an n+ -polysilicon gate was investigated. The influence of trapped electron release on the dynamic degradation of p-channel MDP PT following hot carrier injection into the channel is examined. It is demonstrated that the field in the oxide influences the process of restoring features, and the time dependency has a distinct non-exponential character. It is demonstrated that the injection of electrons at high voltage at the gate during the process of alternating static effects causes trapped hole recombination, and that taking into account the effects of releasing the trapped charge allows the problems of relaxation of degradation processes to be solved.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.