ikbguИзвестия Кабардино-Балкарского государственного университетаProceedings of the Kabardino-Balkarian State University2221-7789Kabardino-Balkarian State University named after Kh. M. Berbekov10.31143/2221-7789-2023-4-72-75JMLIHBikbgu-165Research ArticleФизикаPhysicsСВОЙСТВА ПЛЕНОК СИЛИЦИДА ТИТАНА, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ХИМИЧЕСКОГО ГАЗОФАЗНОГО ПЛАЗМОАКТИВИРОВАННОГО ОСАЖДЕНИЯPROPERTIES OF TITANIUM SILICIDE FILMS OBTAINED BY CHEMICAL GAS-PHASE PLASMA-ACTIVATED DEPOSITIONЧеркесоваН. В.CherkesovaN. V.natasha07_2002@mail.ruМустафаевГ. А.MustafaevG. A.natasha07_2002@mail.ruМустафаевА. Г.MustafaevA. G.natasha07_2002@mail.ruКабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. БербековаKabardino-Balkarian State University named after Kh.M. BerbekovДагестанский государственный университет народного хозяйстваDagestan State University of National Economy2023301220231347275Copyright © Черкесова Н.В., Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г., 20232023Черкесова Н.В., Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г.Cherkesova N.V., Mustafaev G.A., Mustafaev A.G.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://www.izvestiakbsu.ru/jour/article/view/165

Проведено исследование свойств пленок силицида титана, полученного методом химического газофазного плазмоактивированного осаждения (ХГПО). Исследованы зависимость отношения Si/Ti в пленках силицида титана от отношения SiH4/TiCl4 и удельного сопротивления слоя силицида титана, полученных разными методами от температуры отжига в среде аргона Аr. Показано, что удельное сопротивление слоев силицида титана, полученных методом ХГПО, достигает самых низких значений при более низких температу- рах отжига, что обусловлено малым содержанием примесей в пленках и при ускоренном отжиге в интервале температур 600–950 °С, отношение Si/Ti становится равным 2. Показано, что на поверхности пленок сили- цида титана может быть выращен SiО2 в парах Н2О при 800 °С или в сухом О2 при 900–950 °С.

The characteristics of titanium silicide films formed using chemical gas-phase plasma-activated deposition (CGPD) have been investigated. The Si/Ti ratio in titanium silicide films is explored in relation to the SiH4/Sicl4 ratio, as well as the resistivity of the titanium silicide layer generated by different ways in relation to the annealing temperature in the argon Ag medium. It is demonstrated that the resistivity of titanium silicide layers obtained by the HGPO method is lowest at lower annealing temperatures, which is due to the low impurity content of the films, and that with accelerated annealing in the temperature range 600–950 °С, the Si/Ti ratio equals 2. It is shown that on the surface of titanium silicide films there can be SiO2 was grown in H2O vapors at 800 °C or in dry O2 at 900–950 °С.

силицид титанаудельное сопротивлениеосаждениеокисная пленкавнутренние напряженияскорость травлениякоэффициенты теплового расширения.titanium silicideresistivitydepositionoxide filminternal stressesetching ratethermal expansion coefficients.ReferencesМустафаев Г.А., Черкесова Н. В. Силициды тугоплавких металлов: учебное пособие. Нальчик, 2021. 95 c.Мустафаев Г.А., Черкесова Н. В. Силициды тугоплавких металлов: учебное пособие. Нальчик, 2021. 95 c.Yang L.Y., Zhang D.H., Li C.Y., Foo P.D. Comparative study of Ta, TaN and Ta/TaN bi-layer barri- ers for Cu-ultra low-k porous polymer integration // Thin solid films. 2004. P. 176–181.Yang L.Y., Zhang D.H., Li C.Y., Foo P.D. Comparative study of Ta, TaN and Ta/TaN bi-layer barri- ers for Cu-ultra low-k porous polymer integration // Thin solid films. 2004. P. 176–181.Громов, Д.Г., Мочалов А.И. Свойства контактной системы TiN/CoSi2, сформированной твер- дофазным синтезом из пленки сплава Ti–Co–N // Известия вузов. Электроника. 1998. № 1. С. 24–30.Громов, Д.Г., Мочалов А.И. Свойства контактной системы TiN/CoSi2, сформированной твер- дофазным синтезом из пленки сплава Ti–Co–N // Известия вузов. Электроника. 1998. № 1. С. 24–30.Mustafaev G.A., Khasanov A.I., Cherkesova N.V., Mustafaev A.G. Technology for the formation of refractory metals for micro- and nanoelectronics products // IOP Conference Series: Materials Science and En- gineering. 3rd International Symposium on Engineering and Earth Sciences. 2020. P. 12048.Mustafaev G.A., Khasanov A.I., Cherkesova N.V., Mustafaev A.G. Technology for the formation of refractory metals for micro- and nanoelectronics products // IOP Conference Series: Materials Science and En- gineering. 3rd International Symposium on Engineering and Earth Sciences. 2020. P. 12048.Патент РФ № 2698540. Способ изготовления контактно-барьерной металлизации / Г.А. Муста- фаев, А.Г. Мустафаев. Опубл. 28.08.2019. Бюл. № 13.Патент РФ № 2698540. Способ изготовления контактно-барьерной металлизации / Г.А. Муста- фаев, А.Г. Мустафаев. Опубл. 28.08.2019. Бюл. № 13.Патент РФ № 2751983. Способ изготовления силицида титана / Г.А. Мустафаев, А.Г. Мустафа- ев, Н.В. Черкесова. Опубл. 21.07.2021. Бюл. № 21.Патент РФ № 2751983. Способ изготовления силицида титана / Г.А. Мустафаев, А.Г. Мустафа- ев, Н.В. Черкесова. Опубл. 21.07.2021. Бюл. № 21.Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г., Панченко В.А., Черкесова Н.В. Метод ионного перемешива- ния для формирования силицидного слоя // Физико-химические аспекты изучения кластеров, наност- руктур и наноматериалов. 2020. № 12. С. 868–874.Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г., Панченко В.А., Черкесова Н.В. Метод ионного перемешива- ния для формирования силицидного слоя // Физико-химические аспекты изучения кластеров, наност- руктур и наноматериалов. 2020. № 12. С. 868–874.Громов Д.Г., Мочалов А.И., Пугачевич В.П., Сулимин А.Д., Евдокимов B.А., Волк Ч.П. Само- совмещенное формирование контактного слоя CoSi2 и диффузионно-барьерного слоя TiN // Известия вузов. Электроника. 1999. № 3. С. 20–25.Громов Д.Г., Мочалов А.И., Пугачевич В.П., Сулимин А.Д., Евдокимов B.А., Волк Ч.П. Само- совмещенное формирование контактного слоя CoSi2 и диффузионно-барьерного слоя TiN // Известия вузов. Электроника. 1999. № 3. С. 20–25.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.