Наиболее изученной аморфной системой является аморфный кремний, однако широкое практическое применение нашли и другие аморфные системы, в частности оксиды. Их исследование как новых материалов для оптоэлектроники актуально. Важным моментом в таких исследованиях является установление взаимосвязи между реальной структурой и электрическими свойствами аморфного оксида. В данной работе сообщается о результатах исследования аморфной структуры тонких пленок сложных оксидов переходных металлов (оксидных вольфрамовых бронз) Na0,3WO3, K0,3WO3, полученных при различных температурах подложки, и механизмах электронного переноса в них при нагреве и охлаждении в вакууме и последующем нагреве и охлаждении в кислороде.
The most studied amorphous system is amorphous silicon; however, other amorphous systems, in particular oxides, have also found wide practical application. Their study as new materials for optoelectronics is topical. An important point in such studies is the establishment of the relationship between the real structure and the electrical properties of the amorphous oxide. This paper reports on the results of a study of the amorphous structure of thin films of complex transition metal oxides (oxide tungsten bronzes) Na0,3WO3, K0,3WO3, obtained at different substrate temperatures, and the mechanisms of electron transfer in them during heating and cooling in vacuum and subsequent heating and cooling in oxygen.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.