Исследованы поверхностные состояния, фиксированный заряд в оксиде и плотность захваченных дырок на обеих поверхностях раздела скрытого оксидного слоя при различных значениях дозы излучения, смещения на подложке и технологических параметров. Проведена оценка влияния рентгеновского излучения на сдвиг напряжения для транзисторов с каналом, образованным скрытым оксидом, при облучении в зависимости от дозы облучения. Показано, что для поверхности раздела пленка/оксид смещение вызывает уменьшение плотности захваченного заряда, и характеристика приобретает линейную зависимость от дозы, а снижение ширины канала сопровождается ростом радиационной чувствительности. Показанные результаты свидетельствуют о том, что устойчивость скрытых оксидов к воздействию накопленной дозы излучения заметно возрастает при подаче на подложку в процессе облучения отрицательного напряжения смешения.
With varying levels of radiation dose, displacement on the substrate, and technological parameters, the characteristics of the outer layer, the static charge in the oxide, and the number of confined holes on both sides of the internal oxide layer were examined. Based on the amount of radiation absorbed, the voltage shift of transistors with a channel made by a latent oxide when exposed to X-rays was investigated. An assessment was made of the effect of X-ray radiation on the voltage shift for transistors with an oxide channel created by latent oxide during radiation, depending on the radiation dose. Additionally, an increase in radiation sensitivity is mirrored by a decrease in channel width. The study demonstrated that the protection from radiation of latent oxides significantly increases when a negative voltage is applied to the substrate during irradiation.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.