ikbguИзвестия Кабардино-Балкарского государственного университетаProceedings of the Kabardino-Balkarian State University2221-7789Kabardino-Balkarian State University named after Kh. M. Berbekov10.31143/2221-7789-2023-3-55-58RAGRZBikbgu-185Research ArticleФизикаPhysicsИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗМОЖНОСТИ СНИЖЕНИЯ СОПРОТИВЛЕНИЯ КОНТАКТОВ И МЕЖСОЕДИНЕНИЙ ФОРМИРОВАНИЕМ ДВУХСЛОЙНЫХ W/WSiХ ЭЛЕКТРОДОВ ЗАТВОРАRESEARCH OF THE POSSIBILITY OF REDUCING THE CONTACTS AND INTERCONNECTS RESISTANCE BY FORMING TWO-LAYER W/WSiХ GATE ELECTRODESЧеркесоваН. В.CherkesovaN. V.natasha07_2002@mail.ruМустафаевГ. А.MustafaevG. A.natasha07_2002@mail.ruМустафаевА. Г.MustafaevA. G.natasha07_2002@mail.ruКабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. БербековаKabardino-Balkarian State UniversityДагестанский государственный университет народного хозяйстваDagestan State University of National Economy2023300920231335558Copyright © Черкесова Н.В., Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г., 20232023Черкесова Н.В., Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г.Cherkesova N.V., Mustafaev G.A., Mustafaev A.G.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://www.izvestiakbsu.ru/jour/article/view/185

В работе для формирования низкоомных электродов затвора полевого транзистора с использованием тугоплавких металлов разработана технология самосовмещенных структур для схем на основе GaAs и исследованы структуры двухслойных W/WSiх электродов затвора, также проведена оптимизация толщины слоя WSix. Показано, что сочетание двухслойной W/WSiх структуры обеспечивает низкое сопротивление контактов и межсоединений.

In the work for the formation of low-resistance gate electrodes of a field-effect transistor using refractory metals, a technology of self-displaced structures for GaAs-based circuits was developed and the structures of two-layer W/WSiх gate electrodes were studied, and the thickness of the WSix layer was also optimized. This article shows that the combination of a two-layer W/WSiх structure provides a low resistance to contacts and interconnects.

термостабильностьпленкакоэффициент неидеальностисилицид тугоплавких металловвысота барьератолщина слоямеханические напряженияудельное сопротивлениеадгезиядиффузия.thermal stabilityfilmsimperfection coefficientsilicides of refractory metalsbarrier heightlayer thicknessmechanical stressesresistivityadhesiondiffusion.ReferencesQu X.-P., Lu H., Peng T., Ru G.-P., Li B.-Z. Effects of preannealing on the diffusion barrier proper- ties for ultrathin W-Si-N thin film // Thin Solid Films. 2004. V. 67. P. 462–463.Qu X.-P., Lu H., Peng T., Ru G.-P., Li B.-Z. Effects of preannealing on the diffusion barrier proper- ties for ultrathin W-Si-N thin film // Thin Solid Films. 2004. V. 67. P. 462–463.Babbar H.L., Anagnostopoulos C.N., Fischer J.R. Al SiO2/WSi2/Si double-level metallization for charge-coupled-device imagers // Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanome- ter Structures. 1985. V. 3, N 6. Р.1645–1649.Babbar H.L., Anagnostopoulos C.N., Fischer J.R. Al SiO2/WSi2/Si double-level metallization for charge-coupled-device imagers // Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanome- ter Structures. 1985. V. 3, N 6. Р.1645–1649.Плющева С.В., Михайлов Г.М., Шабельников Л.Г., Шаповал С.Ю. Образование силицидов на межфазной границе при осаждении тонких слоев вольфрама на кремний // Неорганические материалы. 2009. Т. 45, № 2. С. 176–180.Плющева С.В., Михайлов Г.М., Шабельников Л.Г., Шаповал С.Ю. Образование силицидов на межфазной границе при осаждении тонких слоев вольфрама на кремний // Неорганические материалы. 2009. Т. 45, № 2. С. 176–180.Mustafaev G.A., Khasanov A.I., Cherkesova N.V., Mustafaev A.G. Technology for the formation of refractory metals for micro – and nanoelectronics products // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. 3rd International Symposium on Engineering and Earth Sciences (ISEES 2020). 2020. P. 12048.Mustafaev G.A., Khasanov A.I., Cherkesova N.V., Mustafaev A.G. Technology for the formation of refractory metals for micro – and nanoelectronics products // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. 3rd International Symposium on Engineering and Earth Sciences (ISEES 2020). 2020. P. 12048.Мустафаев Г.А., Черкесова Н.В., Хасанов А.И., Мустафаев А.Г., Формирование малоразмерных контактов на основе слоя вольфрама // Материалы Международной научно-практической конференцииМустафаев Г.А., Черкесова Н.В., Хасанов А.И., Мустафаев А.Г., Формирование малоразмерных контактов на основе слоя вольфрама // Материалы Международной научно-практической конференции«Современные методы исследования и диагностики поверхности». Грозный. 2021, C. 65–70.«Современные методы исследования и диагностики поверхности». Грозный. 2021, C. 65–70.Патент РФ № 2698540. Способ изготовления контактно-барьерной металлизации / Г.А. Муста- фаев, А.Г. Мустафаев, А.Г. Мустафаев. Заявл. 17.10.2018. Опубликовано 28.08.2019. Бюл. № 13.Патент РФ № 2698540. Способ изготовления контактно-барьерной металлизации / Г.А. Муста- фаев, А.Г. Мустафаев, А.Г. Мустафаев. Заявл. 17.10.2018. Опубликовано 28.08.2019. Бюл. № 13.Патент РФ № 2757177 Способ изготовления силицидных контактов из вольфрама / Г.А. Мус- тафаев, А.И. Хасанов, А.Г. Мустафаев, Н.В. Черкесова, А.Г. Мустафаев. Заявл. 15.02.2021. Опубликова- но 11.10.2021. Бюл. № 29.Патент РФ № 2757177 Способ изготовления силицидных контактов из вольфрама / Г.А. Мус- тафаев, А.И. Хасанов, А.Г. Мустафаев, Н.В. Черкесова, А.Г. Мустафаев. Заявл. 15.02.2021. Опубликова- но 11.10.2021. Бюл. № 29.Мустафаев Г.А., Черкесова Н.В. Силициды тугоплавких металлов для изделий микро- и нано- электроники: учебное пособие. Нальчик, 2021. 95 с.Мустафаев Г.А., Черкесова Н.В. Силициды тугоплавких металлов для изделий микро- и нано- электроники: учебное пособие. Нальчик, 2021. 95 с.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.