ikbguИзвестия Кабардино-Балкарского государственного университетаProceedings of the Kabardino-Balkarian State University2221-7789Kabardino-Balkarian State University named after Kh. M. Berbekov10.31143/2221-7789-2025-1-16-20JDWJKZikbgu-21Research ArticleФизикаPhysicsАрсенид-силикатные стекла, сформированные окислением sih4 и ash3, для диффузии мышьяка в si и sio2Arsenide-silicate glasses formed by oxidation of sih4 and ash3 to diffuse arsenic into si and sio2МустафаевГасан АбакаровичMustafayevHasan A.

Доктор технических наук, профессор кафедры электроники и цифровых информационных технологий института электроники, робототехники и искусственного интеллекта.

Department of Electronics and Digital Information Technologies, Institute of Electronics, Robotics and Artificial Intelligence

zoone@mail.ruМустафаевАрслан ГасановичMustafayevArslan H.

Доктор технических наук, профессор кафедры информационных технологий и информационной безопасности.

Doctor of Technical Sciences, Professor of the Department of Information Technology and Information Security.

zoone@mail.ruЗдравомысловДенис МихайловичZdravomyslovDenis M.

Аспирант 2 года обучения по специальности: Электронная компонентная база микро- и электроники, квантовых устройств. 

Graduate student of 2 years of study in the specialty: Electronic component base of micro- and electronics, quantum devices.

zoone@mail.ruДагестанский государственный университет народного хозяйства.Kabardino-Balkarian State University named after H.M. Berbekova.Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова.Kabardino-Balkarian State University named after H.M. Berbekova.2025151220251511620Copyright © Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г., Здравомыслов Д.М., 20252025Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г., Здравомыслов Д.М.Mustafayev H.A., Mustafayev A.H., Zdravomyslov D.M.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://www.izvestiakbsu.ru/jour/article/view/21

В работе исследованы арсенид-силикатные стекла, сформированные окислением SiH4 и AsH3. Показано, что скорость осаждения резко уменьшается при концентрации AsH3 в смеси реагентов более 10 мол.%. Исследована диффузия мышьяка через барьерный окисел и без барьерного окисла с применением кислорода О2 и аргона Ar в качестве диффузионной среды. Показано, что приме- нение кислорода О2 вместо аргона Ar в качестве диффузионной среды меняет природу дефектов, при- водит к увеличению глубин переходов и поверхностной концентрации мышьяка Аs в диффузионных слоях. Обнаружена связь между концентрацией As2O3 в стеклах и тенденцией к образованию дефектов в стекле при термообработке.

The paper studied arsenide-silicate glasses formed by oxidation of SiH4 and AsH3. It has been shown that the precipitation rate decreases sharply when the concentration of AsH3 in the mixture of reagents is more than 10 mol%. The diffusion of arsenic through barrier oxide and without barrier oxide was studied using oxygen O2 and argon Ar as a diffusion medium. It has been shown that the use of oxygen O2 instead of argon Ar as a diffusion medium changes the nature of defects, leads to an increase in the depths of transitions and the surface concentration of arsenic As in diffusion layers. A connection has been found between the concentration of As2O3 in glasses and the tendency to form defects in glass during heat treatment.

Легированные стекладиффузионная средатермообработкабарьерный слойокиселповерхностная концентрациядиффузияглубина перехода.Alloyed glassesdiffusion mediumheat treatmentbarrier layeroxidesurface concentrationdiffusiontransition depth.ReferencesЗи С. Технология СБИС. М.: Мир, 1986. 454 с.Z. S. VLSI technology. M.: Mir, 1986. 454 p.Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М.: Высшая школа, 1986. 315 с.Kurnosov A.I., Yudin V.V. Technology for the production of semiconductor devices and integrated circuits. M.: Higher School, 1986. 315 s.Риссел Х., Руге И. Ионная имплантация: пер с нем. / под ред. М.И. Гусева. М.: Наука, 1983. 342 с.Rissel H, Ruge I. Ion implantation: per with him ./ed. M.I. Guseva. M.: Science, 1983. 342 pp.Зебрев Г.И. Физические основы кремниевой наноэлектроники: учеб. пособие для вузов. М.: Лаборато- рия знаний, 2020. 243 с.Zebrev G.I. Physical fundamentals of silicon nanoelectronics: study. manual for universities. M.: Laboratory of Knowledge, 2020. 243 pp.Старосельский В.И. Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники: учебник. М.: Юрайт, 2019. 463 с.Staroselsky V.I. Physics of semiconductor microelectronics devices: textbook. M.: Yurayt, 2019. 463 p.Орлов А.М., Костишко Б.М., Скворцов А.А. Физические основы технологии полупроводнико- вых приборов и интегральных микросхем: учеб. пособие. Ульяновск: УлГУ, 2014. 423 с.Orlov AM, Kostishko BM, Skvortsov A.A. Physical fundamentals of semiconductor devices and integrated circuits technology: tutory. manual. Ulyanovsk: UlSU, 2014. 423 p.Таганцев Д.К. Стеклообразные материалы: учебное пособие. СПб.: Изд-во Политехн. ун-та, 2010. 204 с.Tagantsev D.K. Glassy materials: textbook. St. Petersburg: Publishing House Polytechnic. University, 2010. 204 pp.Кручинин Д.Ю., Фарафонтова Е.П. Физическая химия стеклообразного состояния: учебное по- собие. М-во науки и высшего образования РФ. Екатеринбург: Изд-во Урал. ун-та, 2021. 108 с.Kruchinin D.Yu., Farafontova E.P. Physical chemistry of the glassy state: educational. Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation. Yekaterinburg: Ural Publishing House. University, 2021. 108 pp.Немилов С.В. Оптическое материаловедение: Физическая химия стекла. Учебное пособие, курс лекций. СПб: СПбГУ ИТМО, 2009. 113 с.Nemilov S.V. Optical materials science: Physical chemistry of glass. Textbook, lecture course. St. Petersburg: St. Petersburg State University ITMO, 2009. 113 pp.Сугано Т., Икомо Т., Такзиси Е. Введение в микроэлектронику М.: Мир, 1989. 315 с.Sugano T, Ikomo T, Takzishi E. Introduction to Microelectronics M.: Mir, 1989. 315 s.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.