ikbguИзвестия Кабардино-Балкарского государственного университетаProceedings of the Kabardino-Balkarian State University2221-7789Kabardino-Balkarian State University named after Kh. M. Berbekov10.31143/2221-7789-2025-4-14-17VEKWRTikbgu-56Research ArticleФизикаPhysicsСВОЙСТВА ПЛЕНОК ДВУОКИСИ КРЕМНИЯ СФОРМИРОВАННЫХ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СИЛАНА И ДВУОКИСИ УГЛЕРОДАPROPERTIES OF SILICON DIOXIDE FILMS FORMED USING SILANE AND CARBON DIOXIDEЧеркесоваН. В.CherkesovaN. V.*natasha07_2002@mail.ruМустафаевГ. А.MustafayevG. A.*natasha07_2002@mail.ruМустафаевА. Г.MustafayevA. G.*natasha07_2002@mail.ruКабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. БербековаKabardino-Balkarian State University2025301220251541417Copyright © Черкесова Н.В., Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г., 20252025Черкесова Н.В., Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г.Cherkesova N.V., Mustafayev G.A., Mustafayev A.G.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://www.izvestiakbsu.ru/jour/article/view/56

Проведено исследование зависимости скорости роста, скорости травления, напряжения пробоя и плотности пленок двуокиси кремния от процентного содержания силана SiН4 в газовой смеси для разных значений температуры. Показано, что с возрастанием температуры осаждения и увеличением содержания силана в газовой смеси повышается плотность пленок двуокиси кремния и улучшается их стехиометрия, а применение реакции пиролиза силана в присутствии двуокиси углерода (в качестве окислителя) позволяет формировать на кремниевых подложках пленки двуокиси кремния идентичные с термическим окислом.

A study was conducted on the dependence of the growth rate, etching rate, breakdown voltage, and density of silicon dioxide films on the percentage of silane SiH4 in the gas mixture for different temperature values. It was shown that with increasing deposition temperature and silane content in the gas mixture, the density of silicon dioxide films increases and their stoichiometry improves. The application of silane pyrolysis in the presence of carbon dioxide (as an oxidizer) allows the formation of silicon dioxide films on silicon sub- strates that are identical to thermally grown oxide.

осаждениедвуокись кремнияпиролизплотность пленокстехиометриянапряжения пробояадгезияdepositionsilicon dioxidepyrolysisfilm densitystoichiometrybreakdown voltageadhesionReferencesКрасников Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзис- торов. М.: Техносфера, 2011. 800 с.Krasnikov G.Ya. Design and Technological Features of Submicron MOS Transistors. Moscow: Tekhnosfera, 2011. 800 p.Mustafaev G.A., Mustafaev A. G., Cherkesova N.V. Thin Layers of Oxide Coating in Very-Large- Scale Integration // AER-Advances in Engineering Research. 2018. V. 177. Р. 377–379.Mustafaev G.A., Mustafaev A. G., Cherkesova N.V. Thin Layers of Oxide Coating in Very-Large-Scale Integration // AER-Advances in Engineering Research. 2018. V. 177. P. 377–379.Зятьков И.И., Кривошеева А.Н. Базовые процессы планарной технологии [Электронный ре- сурс]: электрон. учеб. пособие. 2018. 1 эл. опт. диск (CDROM).Zyatkov I.I., Krivosheeva A.N. Basic processes of planar technology [Electronic resource]: electron. studies. stipend. 2018. 1 electronic wholesale disk (CDROM).Технология СБИС: в 2 кн. / под ред. С. Зи / пер. с англ. под ред. Ю.Д. Чистякова. М.: Мир, 1986. 453 с.VLSI technology: in 2 books. / edited by S. Zi / translated from English. edited by Yu.D. Chistyakov. Moscow: Mir, 1986. 453 p.Мустафаев Г.А., Черкесова Н.В. Трехмерные интегральные схемы: учебное пособие. Нальчик: Каб.-Балк. ун-т, 2016. 89 с.Mustafaev G.A., Cherkesova N.V. Three-Dimensional Integrated Circuits: A Textbook. Nalchik: Kab.-Balk. University, 2016. 89 p.Гриценко В.А., Тысченко И.Е., Попов В.П., Перевалов Т.В. Диэлектрики в наноэлектронике. Новосибирск: Издательство СО РАН, 2010. 257 с.Gritsenko V.A., Tyschenko I.E., Popov V.P., Perevalov T.V. Dielectrics in Nanoelectronics. Novosibirsk: Publishing House of the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, 2010. 257 p.Ioannou D.P., Ioannou D.E. Some issues of hot-carrier degradation and negative bias temperature in- stability of advanced SOI CMOS transistors // Solid State Electron. 2007. V. 51, N 2. P. 268–277.Ioannou D.P., Ioannou D.E. Some issues of hot-carrier degradation and negative bias temperature instability of advanced SOI CMOS transistors // Solid State Electron. 2007. V. 51, N 2. P. 268–277.Патент РФ № 2723982 Способ изготовления полупроводникового прибора / Г.А. Мустафаев, А.Г. Мустафаев, Н.В. Черкесова. Опубл. 18.06.2020. Бюлл. № 17.Patent of the Russian Federation No. 2723982. Method of manufacturing a semiconductor device / G.A. Mustafaev, A.G. Mustafaev, N.V. Cherkesova. Published on June 18, 2020. Bulletin No. 17.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.