ikbguИзвестия Кабардино-Балкарского государственного университетаProceedings of the Kabardino-Balkarian State University2221-7789Kabardino-Balkarian State University named after Kh. M. Berbekov10.31143/2221-7789-2025-4-18-21QZTSMTikbgu-57Research ArticleФизикаPhysicsСТРУКТУРНЫЕ И ФАЗОВЫЕ ИЗМЕНЕНИЯ В МАТРИЦЕ ТЕЛЛУРИДА СВИНЦА С ПРИМЕСЯМИ СЕРНИСТОГО КАДМИЯSTRUCTURAL AND PHASE CHANGES IN A LEAD TELLURIDE MATRIX WITH ADDITIVES OF CADMIUM SULPHIDEКалмыковР. М.KalmykovR. M.kalmykov.rustam@yandex.ruЖекамуховЗ. А.ZhekamukhovZ. A.kalmykov.rustam@yandex.ruКармоковА. М.KarmokovA. M.kalmykov.rustam@yandex.ruКабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. БербековаKabardino-Balkarian State University2025301220251541821Copyright © Калмыков Р.М., Жекамухов З.А., Кармоков А.М., 20252025Калмыков Р.М., Жекамухов З.А., Кармоков А.М.Kalmykov R.M., Zhekamukhov Z.A., Karmokov A.M.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://www.izvestiakbsu.ru/jour/article/view/57

Исследованы структурные и фазовые изменения в теллуриде свинца с присадками сернистого кадмия. Показано, что в молекулах, образующих новые фазы, наблюдается изменение кри- сталлических структур и параметров решетки. Чем больше концентрация этих примесных атомов, тем больше параметр решетки для фазы CdTe, имеющей структуру сфалерита. При увеличении кон- центрации примеси сернистого кадмия образуются новые трехкомпонентные фазы без содержания свинца, которые можно представить в виде твердого раствора переменного состава.

Structural and phase changes in lead telluride with cadmium sulfide additives have been studied. It has been shown that the crystal structures and lattice parameters of the molecules forming new phases change. The higher the concentration of these impurity atoms, the larger the lattice parameter a for the CdTe phase with the sphalerite structure. As the concentration of cadmium sulfide increases, new three-component phases without lead content are formed, which can be represented as a solid solution with variable composition.

теллурид свинцатермоэлектрический материалсульфид кадмиякристаллическая решеткарентгенофазовый анализпараметры решеткиlead telluridethermoelectric materialcadmium sulfidecrystal cellX-ray phase analysislattice parameterReferencesРавич Ю.И., Ефимова Б.А., Смирнов И.А. Методы исследования полупроводников в примене- нии к халькогенидам свинца PbTe, PbSe и PbS. М.: Наука, 1968. 382 с.Ravich Yu.I., Efimova B.A., Smirnov I.A. Methods of Semiconductor Research in Application to PbTe, PbSe, and PbS Chalcogenides. M.: Nauka, 1968. 382 p.Зимин С.П., Горлачев Е.С. Наноструктурированные халькогениды свинца. Ярославль: ЯрГУ, 2011. 232 с.Zimin S.P., Gorlachev E.S. Nanostructured Lead Chalcogenides. Yaroslavl: YarSU, 2011. 232 p.Дмитриев А.В., Звягин И.П. Современные тенденции развития физики термоэлектрических материалов // УФН. 2010. Т. 180, № 8. С. 821–837.Dmitriev A.V., Zvyagin I.P. Modern trends in the development of thermoelectric materials physics // UFN. 2010. Vol. 180, No. 8. Pp. 821–837.Калмыков Р.М. Влияние примеси CdSe на термоэлектрические свойства сплавов PbTe: дис… канд. физ.-мат. наук. Нальчик, 2020. 146 с.Kalmykov R.M. Influence of CdSe impurity on thermoelectric properties of PbTe alloys: dis… cand. phys.-math. sciences. Nalchik, 2020. 146 p.Чижиков Д.М. Теллур и теллуриды. М.: Наука, 1966. 286 с.Chizhikov, D.M. Tellurium and Tellurides. Moscow: Nauka, 1966. 286 p.Калмыков Р.М., Кармоков А.М., Шомахов З.В., Кармокова Р.Ю. Исследования влияния приме- си CdSe на температурные зависимости термоэлектрических свойств сплавов PbTe // Прикладная физи- ка. 2020. № 3. С. 52–56.Kalmykov R.M., Karmokov A.M., Shomakhov Z.V., and Karmokova R.Yu. Studies of the Influence of CdSe Impurity on the Temperature Dependences of the Thermoelectric Properties of PbTe Alloys // Applied Physics. 2020. No. 3. Pp. 52–56.Калмыков Р.М., Кармоков А.М., Шомахов З.В., Дышекова А.Х. Наноразмерные структуры в матрице PbTe с примесями CdSe // Физико-химические аспекты изучения кластеров, наноструктур и наноматериалов. 2021. № 13. С. 187–196.Kalmykov R.M., Karmokov A.M., Shomakhov Z.V., Dyshekova A.Kh. Nanoscale Structures in a PbTe Matrix with CdSe Impurities // Physical and Chemical Aspects of Studying Clusters, Nanostructures, and Nanomaterials. 2021. No. 13. Pp. 187–196.Калмыков Р.М., Кармоков А.М., Шомахов З.В., Кармокова Р.Ю. Исследования изменения прово- димости твердых растворов на основе PbTe с примесями CdSe // Прикладная физика. 2023. № 1. С. 56–60.Kalmykov R.M., Karmokov A.M., Shomakhov Z.V., Karmokova R.Yu. Research on the Conductivity Change of PbTe-Based Solid Solutions with CdSe Impurities // Applied Physics. 2023. No. 1. Pp. 56–60.Калмыков Р.М., Кармоков А.М. Методические особенности синтеза полупроводниковых спла- вов на основе теллурида свинца // Известия КБГУ. 2016. Т. 6, № 4. С. 31–34.Kalmykov R.M., Karmokov A.M. Methodological Features of the Synthesis of Semiconductor Alloys Based on Lead Telluride // Izvestiya of KBGU. 2016. Vol. 6, No. 4. Pp. 31–34.Калмыков Р.М., Кармоков А.М. Способ получения термоэлектрического материала для тер- моэлектрических генераторных устройств на основе теллурида свинца // Патент на изобретениеKalmykov R.M., Karmokov A.M. Method of obtaining thermoelectric material for thermoelectric generator devices based on lead telluride // Patent for invention№ 2642890. Опубликовано: 29.01.2018. 6 с.No. 2642890. Published: 29.01.2018. 6 p.Дифрактометр рентгеновский ДРОН-6. Руководство по эксплуатации Я61.210.074 РЭ. СПб.: Научно-производственное предприятие Буревестник. 2002. 56 с.DRON-6 X-ray diffractometer. User manual Ya61.210.074 RE. SPb.: Scientific and Production Enterprise Burevestnik. 2002. 56 p.Шаров М.К. ТермоЭДС и удельная электропроводность твердых растворов Pb1-xCdxTe // Пер- спективные материалы. 2011. № 2. С. 17–20.Sharov M.K. Thermoelectromotive force and specific electrical conductivity of solid solutions Pb1-xCdxTe // Perspective materials. 2011. No. 2. Pp. 17–20.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.