СНИЖЕНИЕ ВЛИЯНИЯ ИНЖЕКЦИИ ГОРЯЧИХ НОСИТЕЛЕЙ АКЦЕПТОРНЫМ ЛЕГИРОВАНИЕМ ПОЛИКРЕМНИЕВЫХ ЭЛЕКТРОДОВ ЗАТВОРА КМДП СТРУКТУР

Разработана технология формирования КМДП структур, в котором оба типа полевых транзисторов имеют p⁺-легирование поликремниевых электродов затвора. Проведено исследование предпороговых характеристик и ВАХ стока для полевых транзисторов со скрытым n-каналом и затвором из p⁺-поликремния и зависимости тока стока и динамической проводимости от длины канала полевых транзисторов со скрытым n-каналом. Показано, что эти приборы характеризуются снижением порогового напряжения при уменьшении толщины окисла затвора от 17,5 до 11 нм и возрастанием динамической проводимости. Показано, что высокие значения эффективной подвижности электронов, тока стока в насыщении и динамической подвижности для полевых транзисторов со скрытым n-каналом и затвором из p⁺- поликремния обусловлены уменьшением рассеяния электронов на поверхности раздела Si/SiO₂, а небольшое увеличение глубины пика поля в структуре полевых транзисторов уменьшает скорость деградации под воздействием горячих электронов, инжектируемых через поверхность раздела Si/SiO₂.

1. Красников Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП- транзисторов. М.: Техносфера, 2011. 800 с.

2. Мустафаев Г.А, Черкесова Н.В. Проектирование элементов цифровых МДП-схем устойчивых к воздействию дестабилизирующих факторов: учебное пособие. Нальчик, 2020. 95 с.

3. Зятьков И.И. Базовые процессы планарной технологии [Электронный ресурс]: электронное учебное пособие. 2018. 1 эл. опт. диск (CD-ROM).

4. Зи С. Технология СБИС. М.: Мир, 1986. 404 с.

5. Takeda E., Suzuki N., Hagiwara T. Device Performance Degradation to Hot-Carrier Injection at En- ergies Below the Si-SiO2 Energy Barrier // Proc. Intl. Electron Devices Meeting. 1983. P. 396–399.

6. Guerin C., Huard V., Bravaix A. The Energy-Driven Hot-Carrier Degradation Modes of nMOSFETs IEEE // Transactions on Device and Materials Reliability. 2007. V. 7, N 2. Р. 225–235.

7. Ioannou D.P., Ioannou D.E. Some issues of hot-carrier degradation and negative bias temperature in- stability of advanced SOI CMOS transistors // Solid State Electron. 2007. V. 51, N 2. P. 268–277.

8. Патент РФ № 2757539. Способ изготовления мелкозалегающих переходов / Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г., Черкесова Н.В., Мустафаев А.Г.

9. Черкесова Н.В., Мустафаев Г.А., Мустафаев A.Г. Исследование возможности снижения сопротив- ления контактов и межсоединений формированием двухслойных W/WSiх электродов затвора // Известия Кабардино-Балкарского государственного университета. 2023. Т. 13, № 3. С. 55–58.

10. Патент РФ № 2757177. Способ изготовления полупроводникового прибора с многослойными проводниками / Мустафаев Г.А., Хасанов А.И., Мустафаев А.Г., Черкесова Н.В., Мустафаев А.Г. Опубл. 11.10.2021 г. Бюл. № 29.