ПРОЦЕССЫ ПАМЯТИ И ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ В ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ ДВУХ- И ТРЕХКОМПОНЕНТНЫХ ХАЛЬКОГЕНИДОВ
https://doi.org/10.31143/2221-7789-2024-3-11-14
EDN: NEAYUV
Аннотация
В предлагаемой статье представлена теоретическая модель для анализа процессов памяти и переключения в тонкопленочных структурах на основе двух- и трехкомпонентных халькогенидов, представлены результаты экспериментального исследования влияния введения модифицирующего элемента, изоморфного с одним из основных компонентов халькогенидного полупроводника, с целью при местного замещения и изменения электрофизических свойств исследуемых материалов. Анализируется возможность создания тонкопленочных энергонезависимых элементов памяти на их основе.
Об авторах
Е Ф Троян
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Республика Беларусь
Россия
Россия
А А Степанов
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Республика Беларусь
Россия
Россия
Н В Жовнерик
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Республика Беларусь
Россия
Россия
Хиао Вей Сун
Южный университет науки и технологии, Шеньчжень, Китай.
Россия
Россия
Лиу Женгбиао
Южный университет науки и технологии, Шеньчжень, Китай
Россия
Россия
Список литературы
1. Колосницын Б.С., Троян Е.Ф. Эффекты памяти и переключения в тонкопленочных неупорядоченных халькогенидных полупроводниках // Доклады БГУИР. 2017. № 2 (104). С. 25–30.
2. Квятковский О.Е., Максимов Е.Г. Микроскопическая теория динамики решетки. Природа сегнетоэлектрической неустойчивости в кристаллах // УФН. 1998. Т. 154. Вып. 1. С. 3–48.
3. Saif Siddique et al. Emerging two-dimensional tellurides, 2021. Elsevier Ltd. 247 p.
4. Pumlianmunga D., Ramesh K. Electrical switching in Sb doped AlTe glasses // Journal of Physical and Chemistry of Solids. 2017. V. 2. P. 17–21.
5. Asokan S. Electrical Switching and Other Properties of Chalcogenide Glasses // Journal of the Indian Institute of Science. 2011. V. 91. N 2. P. 11–14.
Рецензия
Для цитирования:
Троян Е.Ф., Степанов А.А., Жовнерик Н.В., Сун Х.В., Женгбиао Л. ПРОЦЕССЫ ПАМЯТИ И ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ В ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ ДВУХ- И ТРЕХКОМПОНЕНТНЫХ ХАЛЬКОГЕНИДОВ. Известия Кабардино-Балкарского государственного университета. 2024;14(3):11-14. https://doi.org/10.31143/2221-7789-2024-3-11-14. EDN: NEAYUV
For citation:
Troyan E.F., Smirnov A.G., Stepanov A.A., Zhovnerik N.V., Sun H.W. MEMORY AND SWITCHING PROCESSES IN THIN-FILM STRUCTURES BASED ON TWO- AND THREE-COMPONENT CHALCOGENIDES. Proceedings of the Kabardino-Balkarian State University. 2024;14(3):11-14. (In Russ.) https://doi.org/10.31143/2221-7789-2024-3-11-14. EDN: NEAYUV
Просмотров:
15
JATS XML
Послать статью по эл. почте 