ВЛИЯНИЕ ЗАХВАТА НОСИТЕЛЕЙ В ОКИСЛЕ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ
https://doi.org/10.31143/2221-7789-2024-4-20-23
EDN: KYFSFF
Аннотация
В работе исследованы эффекты в полевых МДП-транзисторах, связанные с захватом зарядов ловушками, расположенными как в слое подзатворного окисла, так и на границе раздела Si/SiO2. Показано, что появление положительного заряда, вызывается захватом дырок ловушками, расположенными вблизи границы валентной зоны анода, а при больших стрессовых дозах преобладающую роль начинает играть захват электронов. В случае отрицательных напряжений на затворе положительный заряд в окисле расположен вблизи границы раздела Si/SiO2 (~1 нм), то есть в пределах туннелирования электронов. Ток через тонкий окисел, возникающий вследствие эффекта Фаулера– Нордхейма, приводит к накоплению зарядов в слое окисла, а также к образованию ловушек на границе раздела Si/SiO2.
Об авторах
Г. А. Мустафаев
Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова
Россия
Россия
А. Г. Мустафаев
Дагестанский государственный университет народного хозяйства
Россия
Россия
Д. М. Здравомыслов
Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова
Россия
Россия
Список литературы
1. Зебрев Г.И. Физические основы кремниевой наноэлектроники: учебное пособие для вузов. М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2011. 240 с.
2. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984. 456 с.
3. Красников Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзис- торов. М.: Техносфера, 2011. 800 с.
4. Mustafaev G.А., Khasanov А.I., Mustafaev A.G., Cherkesova N.V. Thin Layers of Oxide Coating in Very-Large-Scale Integration // Proceedings of the International Symposium, ISEES 2018. Dordrecht: Atlantis Press, 2018. Р. 397–399.
5. Мустафаев Г.А., Мустафаев Аб.Г., Мустафаев Ар.Г. Влияние конструкции на характеристики субмикронных КНИ МОП-транзисторов // Нано- и микросистемная техника. 2010. № 7. С. 8–12.
6. Мустафаев Ар.Г., Мустафаев Аб.Г. Проблемы масштабирования затворного диэлектрика для МОП-технологии // Нано- и микросистемная техника. 2008. № 4. С. 17–21.
7. Патент РФ № 2688864. Способ изготовления полупроводникового прибора / Г.А. Мустафаев, Н.В. Черкесова, А.Г. Мустафаев, А.Г. Мустафаев. Опубл. 22.05.2019. Бюл. № 15.
Рецензия
Для цитирования:
Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г., Здравомыслов Д.М. ВЛИЯНИЕ ЗАХВАТА НОСИТЕЛЕЙ В ОКИСЛЕ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ. Известия Кабардино-Балкарского государственного университета. 2024;14(4):20-23. https://doi.org/10.31143/2221-7789-2024-4-20-23. EDN: KYFSFF
For citation:
Mustafaev G.A., Mustafaev A.G., Zdravomyslov D.M. THE EFFECT OF CARRIER CAPTURE IN OXIDE ON THE CHARACTERISTICS OF MRI TRANSISTORS. Proceedings of the Kabardino-Balkarian State University. 2024;14(4):20-23. (In Russ.) https://doi.org/10.31143/2221-7789-2024-4-20-23. EDN: KYFSFF
Просмотров:
10
JATS XML
Послать статью по эл. почте 