ВЛИЯНИЕ НА СТРУКТУРЫ «КРЕМНИЙ-НА-ИЗОЛЯТОРЕ» НАКОПЛЕННОЙ ДОЗЫ ГАММА ИЗЛУЧЕНИЯ
https://doi.org/10.31143/2221-7789-2023-3-50-54
EDN: JSUOJO
Аннотация
Исследованы поверхностные состояния, фиксированный заряд в оксиде и плотность захваченных дырок на обеих поверхностях раздела скрытого оксидного слоя при различных значениях дозы излучения, смещения на подложке и технологических параметров. Проведена оценка влияния рентгеновского излучения на сдвиг напряжения для транзисторов с каналом, образованным скрытым оксидом, при облучении в зависимости от дозы облучения. Показано, что для поверхности раздела пленка/оксид смещение вызывает уменьшение плотности захваченного заряда, и характеристика приобретает линейную зависимость от дозы, а снижение ширины канала сопровождается ростом радиационной чувствительности. Показанные результаты свидетельствуют о том, что устойчивость скрытых оксидов к воздействию накопленной дозы излучения заметно возрастает при подаче на подложку в процессе облучения отрицательного напряжения смешения.
Об авторах
Н. В. Черкесова
Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова
Россия
Россия
Г. А. Мустафаев
Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова
Россия
Россия
А. Г. Мустафаев
Дагестанский государственный университет народного хозяйства
Россия
Россия
Список литературы
1. Герасименко, Н.Н., Мордкович В.Н. Радиационные эффекты в системе полупроводник – диэлектрик // Поверхность. Физика, химия, механика. 1987. № 6. С. 5–19.
2. Мустафаев, А.Г., Мустафаев А.Г. Влияние накопленной дозы излучения на КМОП-транзисторы изготовленные по КНС технологии // Нано – и микросистемная техника. 2008. № 9. С. 44–46.
3. Мустафаев, А. Г., Мустафаев Г. А. Радиационная стойкость КНИ МОП транзисторов к накопленной дозе ионизирующего излучения // Нано – и микросистемная техника. 2007. № 12. С. 47–49.
4. Gaillardin M., Goiffon V., Marcandella C., Girard S., Martinez M., Paillet P., Magnan P, Estribeau M. Radiation effects in CMOS isolation oxides: differences and similarities with thermal oxides // IEEE Transactions on Nuclear Science. 2013. V. 60, N 4. P. 2623–2629.
5. Мустафаев Г.А., Черкесова Н.В., Мустафаев A.Г. Конструктивные приемы увеличения радиационной стойкости КНИ МОП транзисторов к накопленной дозе ионизирующего излучения // Известия Кабардино-Балкарского государственного университета. 2018. Т. 8, № 4. С. 10–12.
6. Мустафаев А.Г. Технология формирования кремниевых пластин со скрытым слоем // Нано- и микросистемная техника. 2007. № 10. С. 11–14.
7. Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г. Разработка процесса формирования глубокой изоляции структур кремний на изоляторе // Нано- и микросистемная техника. 2009. № 1. С. 30–32.
8. Патент РФ №2340038. Способ изготовления полупроводникового прибора / А.Г. Мустафаев, Г.А. Мустафаев. Заявл. 04.12.2006. Опубл. 27.11.2008. Бюл. № 33.
9. Першенков В.С., Попов В.Д., Шальнов А.В. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС. М., 1988. 255 с.
Рецензия
Для цитирования:
Черкесова Н.В., Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г. ВЛИЯНИЕ НА СТРУКТУРЫ «КРЕМНИЙ-НА-ИЗОЛЯТОРЕ» НАКОПЛЕННОЙ ДОЗЫ ГАММА ИЗЛУЧЕНИЯ. Известия Кабардино-Балкарского государственного университета. 2023;13(3):50-54. https://doi.org/10.31143/2221-7789-2023-3-50-54. EDN: JSUOJO
For citation:
Cherkesova N.V., Mustafaev G.A., Mustafaev A.G. EFFECT OF ACCUMULATED GAMMA RADIATION DOSE ON «SILICON-ON-INSULATOR» STRUCTURES. Proceedings of the Kabardino-Balkarian State University. 2023;13(3):50-54. (In Russ.) https://doi.org/10.31143/2221-7789-2023-3-50-54. EDN: JSUOJO
Просмотров:
36
JATS XML
Послать статью по эл. почте 