ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗМОЖНОСТИ СНИЖЕНИЯ СОПРОТИВЛЕНИЯ КОНТАКТОВ И МЕЖСОЕДИНЕНИЙ ФОРМИРОВАНИЕМ ДВУХСЛОЙНЫХ W/WSiХ ЭЛЕКТРОДОВ ЗАТВОРА
https://doi.org/10.31143/2221-7789-2023-3-55-58
EDN: RAGRZB
Аннотация
В работе для формирования низкоомных электродов затвора полевого транзистора с использованием тугоплавких металлов разработана технология самосовмещенных структур для схем на основе GaAs и исследованы структуры двухслойных W/WSiх электродов затвора, также проведена оптимизация толщины слоя WSix. Показано, что сочетание двухслойной W/WSiх структуры обеспечивает низкое сопротивление контактов и межсоединений.
Об авторах
Н. В. Черкесова
Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова
Россия
Россия
Г. А. Мустафаев
Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова
Россия
Россия
А. Г. Мустафаев
Дагестанский государственный университет народного хозяйства
Россия
Россия
Список литературы
1. Qu X.-P., Lu H., Peng T., Ru G.-P., Li B.-Z. Effects of preannealing on the diffusion barrier proper- ties for ultrathin W-Si-N thin film // Thin Solid Films. 2004. V. 67. P. 462–463.
2. Babbar H.L., Anagnostopoulos C.N., Fischer J.R. Al SiO2/WSi2/Si double-level metallization for charge-coupled-device imagers // Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanome- ter Structures. 1985. V. 3, N 6. Р.1645–1649.
3. Плющева С.В., Михайлов Г.М., Шабельников Л.Г., Шаповал С.Ю. Образование силицидов на межфазной границе при осаждении тонких слоев вольфрама на кремний // Неорганические материалы. 2009. Т. 45, № 2. С. 176–180.
4. Mustafaev G.A., Khasanov A.I., Cherkesova N.V., Mustafaev A.G. Technology for the formation of refractory metals for micro – and nanoelectronics products // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. 3rd International Symposium on Engineering and Earth Sciences (ISEES 2020). 2020. P. 12048.
5. Мустафаев Г.А., Черкесова Н.В., Хасанов А.И., Мустафаев А.Г., Формирование малоразмерных контактов на основе слоя вольфрама // Материалы Международной научно-практической конференции
6. «Современные методы исследования и диагностики поверхности». Грозный. 2021, C. 65–70.
7. Патент РФ № 2698540. Способ изготовления контактно-барьерной металлизации / Г.А. Муста- фаев, А.Г. Мустафаев, А.Г. Мустафаев. Заявл. 17.10.2018. Опубликовано 28.08.2019. Бюл. № 13.
8. Патент РФ № 2757177 Способ изготовления силицидных контактов из вольфрама / Г.А. Мус- тафаев, А.И. Хасанов, А.Г. Мустафаев, Н.В. Черкесова, А.Г. Мустафаев. Заявл. 15.02.2021. Опубликова- но 11.10.2021. Бюл. № 29.
9. Мустафаев Г.А., Черкесова Н.В. Силициды тугоплавких металлов для изделий микро- и нано- электроники: учебное пособие. Нальчик, 2021. 95 с.
Рецензия
Для цитирования:
Черкесова Н.В., Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г. ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗМОЖНОСТИ СНИЖЕНИЯ СОПРОТИВЛЕНИЯ КОНТАКТОВ И МЕЖСОЕДИНЕНИЙ ФОРМИРОВАНИЕМ ДВУХСЛОЙНЫХ W/WSiХ ЭЛЕКТРОДОВ ЗАТВОРА. Известия Кабардино-Балкарского государственного университета. 2023;13(3):55-58. https://doi.org/10.31143/2221-7789-2023-3-55-58. EDN: RAGRZB
For citation:
Cherkesova N.V., Mustafaev G.A., Mustafaev A.G. RESEARCH OF THE POSSIBILITY OF REDUCING THE CONTACTS AND INTERCONNECTS RESISTANCE BY FORMING TWO-LAYER W/WSiХ GATE ELECTRODES. Proceedings of the Kabardino-Balkarian State University. 2023;13(3):55-58. (In Russ.) https://doi.org/10.31143/2221-7789-2023-3-55-58. EDN: RAGRZB
Просмотров:
30
JATS XML
Послать статью по эл. почте 