Для цитирования:

Черкесова Н.В., Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г. ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗМОЖНОСТИ СНИЖЕНИЯ СОПРОТИВЛЕНИЯ КОНТАКТОВ И МЕЖСОЕДИНЕНИЙ ФОРМИРОВАНИЕМ ДВУХСЛОЙНЫХ W/WSiХ ЭЛЕКТРОДОВ ЗАТВОРА. Известия Кабардино-Балкарского государственного университета. 2023;13(3):55-58. https://doi.org/10.31143/2221-7789-2023-3-55-58. EDN: RAGRZB

For citation:

Cherkesova N.V., Mustafaev G.A., Mustafaev A.G. RESEARCH OF THE POSSIBILITY OF REDUCING THE CONTACTS AND INTERCONNECTS RESISTANCE BY FORMING TWO-LAYER W/WSiХ GATE ELECTRODES. Proceedings of the Kabardino-Balkarian State University. 2023;13(3):55-58. (In Russ.) https://doi.org/10.31143/2221-7789-2023-3-55-58. EDN: RAGRZB