СВОЙСТВА ПЛЕНОК ДВУОКИСИ КРЕМНИЯ СФОРМИРОВАННЫХ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СИЛАНА И ДВУОКИСИ УГЛЕРОДА
https://doi.org/10.31143/2221-7789-2025-4-14-17
EDN: VEKWRT
Аннотация
Проведено исследование зависимости скорости роста, скорости травления, напряжения пробоя и плотности пленок двуокиси кремния от процентного содержания силана SiН4 в газовой смеси для разных значений температуры. Показано, что с возрастанием температуры осаждения и увеличением содержания силана в газовой смеси повышается плотность пленок двуокиси кремния и улучшается их стехиометрия, а применение реакции пиролиза силана в присутствии двуокиси углерода (в качестве окислителя) позволяет формировать на кремниевых подложках пленки двуокиси кремния идентичные с термическим окислом.
Ключевые слова
Об авторах
Н. В. Черкесова
Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова
Россия
Россия
Г. А. Мустафаев
Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова
Россия
Россия
А. Г. Мустафаев
Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова
Россия
Россия
Список литературы
1. Красников Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзис- торов. М.: Техносфера, 2011. 800 с.
2. Mustafaev G.A., Mustafaev A. G., Cherkesova N.V. Thin Layers of Oxide Coating in Very-Large- Scale Integration // AER-Advances in Engineering Research. 2018. V. 177. Р. 377–379.
3. Зятьков И.И., Кривошеева А.Н. Базовые процессы планарной технологии [Электронный ре- сурс]: электрон. учеб. пособие. 2018. 1 эл. опт. диск (CDROM).
4. Технология СБИС: в 2 кн. / под ред. С. Зи / пер. с англ. под ред. Ю.Д. Чистякова. М.: Мир, 1986. 453 с.
5. Мустафаев Г.А., Черкесова Н.В. Трехмерные интегральные схемы: учебное пособие. Нальчик: Каб.-Балк. ун-т, 2016. 89 с.
6. Гриценко В.А., Тысченко И.Е., Попов В.П., Перевалов Т.В. Диэлектрики в наноэлектронике. Новосибирск: Издательство СО РАН, 2010. 257 с.
7. Ioannou D.P., Ioannou D.E. Some issues of hot-carrier degradation and negative bias temperature in- stability of advanced SOI CMOS transistors // Solid State Electron. 2007. V. 51, N 2. P. 268–277.
8. Патент РФ № 2723982 Способ изготовления полупроводникового прибора / Г.А. Мустафаев, А.Г. Мустафаев, Н.В. Черкесова. Опубл. 18.06.2020. Бюлл. № 17.
Рецензия
Для цитирования:
Черкесова Н.В., Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г. СВОЙСТВА ПЛЕНОК ДВУОКИСИ КРЕМНИЯ СФОРМИРОВАННЫХ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СИЛАНА И ДВУОКИСИ УГЛЕРОДА. Известия Кабардино-Балкарского государственного университета. 2025;15(4):14-17. https://doi.org/10.31143/2221-7789-2025-4-14-17. EDN: VEKWRT
For citation:
Cherkesova N.V., Mustafayev G.A., Mustafayev A.G. PROPERTIES OF SILICON DIOXIDE FILMS FORMED USING SILANE AND CARBON DIOXIDE. Proceedings of the Kabardino-Balkarian State University. 2025;15(4):14-17. (In Russ.) https://doi.org/10.31143/2221-7789-2025-4-14-17. EDN: VEKWRT
Просмотров:
52
JATS XML
Послать статью по эл. почте 