Preview

Известия Кабардино-Балкарского государственного университета

Расширенный поиск

ВЛИЯНИЕ ДВИЖЕНИЯ ЗАРЯДОВ В ОКСИДЕ НА ДЕГРАДАЦИЮ ХАРАКТЕРИСТИК СТРУКТУР МЕТАЛЛ – ДИЭЛЕКТРИК – ПОЛУПРОВОДНИК

https://doi.org/10.31143/2221-7789-2023-4-67-71

EDN: TYYZYR

Аннотация

Проведена оценка влияния медленного движения дырок на деградацию n-канальных МДП ПТ с n+-поликремниевым затвором. Исследовано влияние высвобождения захваченных электронов на динамическую деградацию р-канальных МДП ПТ после инжекции горячих носителей в канал. Показано, что на процесс восстановления характеристик влияет поле в оксиде, причем зависимость от времени носит ярко выраженный неэкспоненциальный характер. Показано, что инжекция электронов при высоком напряжении на затворе в процессе чередующихся статических воздействий вызывает рекомбинацию захваченных дырок, а учет эффектов освобождения захваченного заряда позволяет решить проблемы релаксации процессов деградации.

Об авторах

Н. В. Черкесова
Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова
Россия


Г. А. Мустафаев
Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова
Россия


А. Г. Мустафаев
Дагестанский государственный университет народного хозяйства
Россия


Список литературы

1. Литовченко В.Г., Горбань А.П. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик- полупроводник. Киев: Наукова думка, 1978. 316 с.

2. Свойства структур металл – диэлектрик – полупроводник / под ред. А.В. Ржанова. М: Наука, 1976. 277 с.

3. Красников Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзис- торов. М.: Техносфера, 2011. 800 с.

4. Солдатов В.С., Соболев Н.В. Электронный захват в МДП структурах с термическим окислом кремния при туннельной инжекции // Известия вузов. Физика. 1989. № 12. С. 82–84.

5. Андреев В.В., Бондаренко В.Г. Зарядовая деградация МДП-систем с термическим окислом кремния, пассивированным ФСС, при высокополевой туннельной инжекции // Микроэлектроника. 1997.

6. № 6. С. 640–646.

7. Мустафаев Г.А, Черкесова Н.В. Проектирование элементов цифровых МДП-схем устойчивых к воздействию дестабилизирующих факторов: учебное пособие. Нальчик, 2020. 95 с.

8. Мустафаев Г.А., Черкесова Н.В. Трехмерные интегральные схемы: учебное пособие. Нальчик: КБГУ, 2016. 89 с.

9. Mustafaev G.A., Khasanov A.I., Mustafaev A.G. Cherkesova N.V. Thin Layers of Oxide Coating in Very-Large-Scale Integration // AER-Advances in Engineering Research. 2018. V. 177. P. 377–379.


Рецензия

Для цитирования:


Черкесова Н.В., Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г. ВЛИЯНИЕ ДВИЖЕНИЯ ЗАРЯДОВ В ОКСИДЕ НА ДЕГРАДАЦИЮ ХАРАКТЕРИСТИК СТРУКТУР МЕТАЛЛ – ДИЭЛЕКТРИК – ПОЛУПРОВОДНИК. Известия Кабардино-Балкарского государственного университета. 2023;13(4):67-71. https://doi.org/10.31143/2221-7789-2023-4-67-71. EDN: TYYZYR

For citation:


Cherkesova N.V., Mustafaev G.A., Mustafaev A.G. THE INFLUENCE OF CHARGE MOVEMENT WITHIN AN OXIDE ON THE DEGRADATION OF CHARACTERISTICS IN METAL-DIELECTRIC-SEMICONDUCTOR STRUCTURES. Proceedings of the Kabardino-Balkarian State University. 2023;13(4):67-71. (In Russ.) https://doi.org/10.31143/2221-7789-2023-4-67-71. EDN: TYYZYR

Просмотров: 29

JATS XML


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 2221-7789 (Print)